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上海交大集成电路学院朱敏课题组首次揭示双向阈值开关“材料基因”和电荷触发开关机制
4 小时前
3月2日，上海交通大学集成电路学院朱敏教授课题组联合中科院上海微系统所宋志棠研究员及多国科研团队，在三维高密度存储技术领域取得重要突破。研究首次揭示了双向阈值开关（Ovonic Threshold Switch, OTS）器件的“材料基因”——单质硒，阐明了其电荷触发开关机制，并实现了开关-存储单元的集成。这一成果为海量高速存储芯片提供了新方案，推动了存储技术向更高密度、更低功耗方向发展。双向阈值开关（OTS）作为三维高密度存储器的核心元器件，在抑制串扰与驱动存储单元方面发挥关键作用。此前，硒基/碲基OTS材料长期被英特尔等公司垄断，新型OTS材料研发成为存储领域的研究热点。此次研究不仅打破了技术壁垒，还为存储芯片的自主可控发展奠定了基础。
