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三星电子开始量产236层NAND闪存

1 天前

3月30日消息，三星电子西安晶圆厂已完成工艺升级第一阶段，淘汰128层（V6）NAND闪存，开始量产236层（V8）产品。该升级自2024年启动，旨在提升性能与生产效率。目前，三星正筹划进一步升级，预计今年完成向286层（V9）NAND闪存的过渡。

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