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消息称三星电子西安晶圆厂实现 V8 (236L) 3D NAND 闪存量产
1 天前
三星电子中国西安的NAND晶圆厂近期完成工艺升级，实现236层堆叠的第八代V-NAND（V8 NAND）量产。该厂是三星在韩国本土外的重要半导体生产基地，制程升级自2024年开始，旨在提升性能、效率与产能，满足AI时代需求。下一步，该厂将瞄准286层堆叠的V9 NAND，相关生产线位于X2工厂，计划2026年内完成过渡并量产。
