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西安电子科技大学实现国产芯片重要突破
3 小时前
4月1日讯，西安电子科技大学胡辉勇教授团队成功研制出基于硅锗工艺的单光子雪崩二极管（SPAD）芯片，大幅降低短波红外探测技术的制造成本。该突破使原本单颗成本数千美元的高端芯片，有望以百分之一的成本应用于智能手机、车载激光雷达等民用领域。短波红外技术具备穿透雾霾、黑夜成像及识别物质材质特征的能力，在暗光拍照、自动驾驶、工业检测等领域前景广阔。此前，主流方案采用铟镓砷材料，因依赖昂贵的磷化铟衬底且与硅基CMOS工艺不兼容，导致成本高昂。胡辉勇团队通过硅锗外延工艺与标准硅基CMOS工艺结合，将探测范围拓展至短波红外波段，并攻克了硅锗晶格失配导致的材料缺陷和漏电难题，构建了全链条自主研发能力。目前，团队正在推进硅锗专用流片线建设，预计2026年底建成，将为后续产品迭代提供快速验证与产能支撑。
