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中国科学院微电子所在DRAM刻蚀工艺三维仿真方向取得重要进展
3 小时前
随着DRAM制程的持续微缩，有源区鳍形结构的刻蚀形貌控制成为提升生产良率的关键难题。产业界普遍观察到wiggling AA效应，即鳍形结构出现侧壁不均和弯曲畸变，这严重降低了电容效率与器件可靠性。然而，该效应的物理根源长期未明，且缺乏系统的表征和机理模型，使得刻蚀工艺难以实现精准调控。针对上述挑战，中国科学院微电子研究所的研究团队创新性地融合了聚焦离子束扫描电子显微镜(FIB-SEM)三维重构技术与刻蚀工艺模型，结合不同工艺条件下的仿真与实验，揭示了wiggling AA效应的核心机理与调控机制。
