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三星电子突破DRAM技术壁垒 成功产出10纳米以下工作晶圆
9 小时前
三星电子在DRAM制造技术上实现突破，成功产出10纳米以下级别的工作晶圆，标志着其克服“10纳米魔咒”的关键进展。上月，三星利用4F平方单元结构和垂直通道晶体管（VCT）工艺，生产了采用10a工艺的晶圆，并确认其有效性。三星计划今年完成基于该结构的10a DRAM开发，2028年实现量产。此外，三星还计划在10a、10b、10c阶段继续使用4F平方和VCT结构，从10d阶段开始转向3D DRAM。此次技术突破的关键在于采用了两项新技术，并改变了核心材料。业界认为，三星成功产出工作晶圆将加速DRAM的开发与量产进程。其他厂商则采取不同策略：美光维持现有设计，中国厂商积极开发3D DRAM，SK海力士则计划在10b节点应用相关技术。
