武汉存储扩产计划曝光:长江存储产能翻番 砸2600亿剑指全球第三
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2026年4月29日,武汉发布2026年重大项目规划,宣布投入380亿美元(约2600亿元人民币)加码存储半导体产业。此次扩产以长江存储和武汉新芯为核心,重点布局3D NAND和DRAM领域。长江存储三期厂房已进入设备调试,预计2026年底量产,2027年达成月产能5万片,全部达产后总产能将翻番,目标成为全球NAND闪存第三大厂商。武汉新芯同步推进三期扩产,聚焦特色存储与传感器领域。AI算力需求激增推动存储行业进入“量价齐升”阶段,行业供不应求格局将持续至2027年。