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消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发

2026-05-25

三星电子利用单元多层键合技术连接两片450层3D NAND，成功构建全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，存储单元工作特性已获验证。

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