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韩国政府拟斥资逾3亿美元布局新一代功率半导体
2 小时前
韩国政府在‘超级创新经济项目’框架下宣布，将投入5000亿韩元（约合22.3亿元人民币）研发下一代功率半导体，旨在降低对进口的依赖，提升技术自主率。该计划包括建设8英寸化合物功率半导体晶圆厂，2027年量产1200V级SiC MOSFET等关键器件，目标到2030年将技术自主率提升至20%。功率半导体将应用于AI数据中心、电动汽车、工业机器人等领域。三星电子、SK Keyfoundry等企业将参与研发与量产。
