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英特尔14A工艺良率在试生产前取得关键进展
10 小时前
摩根士丹利最新研究显示，英特尔下一代14A制程节点缺陷密度（D0）约为0.5，表明在半导体制造中，每单位面积晶圆上功能性报废芯片比例较低，整体良率在同阶段新工艺中表现良好。英特尔计划2027年第一季度将D0降至0.1-0.2，并开始内部测试芯片流片和面向自家产品的小规模量产爬坡，2028年进入风险试产，2029年大规模量产。
