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预处理涂层技术让下一代晶体管更易制造
7 小时前
美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室的科学家通过计算机模拟发现，用氧或氟对二硫化钼进行预处理，可降低剥离其顶层硫原子的能量需求，使下一代芯片晶体管制造更易控制且不损伤下层结构。相关研究发表于《物理化学快报》杂志。
