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电子学院梁学磊团队在碳纳米管单片三维集成与传感-计算一体化电路研究中取得重要进展
3 小时前
互补场效应晶体管（CFET）技术通过垂直堆叠N-FET与P-FET，成为继FinFET和GAA纳米片技术后，进一步提升逻辑密度、缩短互连长度及缩减单元面积的关键架构。国际半导体器件与系统路线图（IRDS）已将CFET列为亚2nm技术节点的重要器件形态，并预计其将在2032年前后投入实际应用。在近期的IEDM、VLSI等国际半导体技术会议上，CFET技术成为讨论焦点。
