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铠侠宣布出货第10代332层堆叠BiCS FLASH闪存样品
7 小时前
铠侠近日宣布，已启动第10代BiCS FLASH 3D闪存技术1Tb TLC内存设备样品的交付工作。该产品采用332层堆叠设计，由铠侠日本岩手北上Fab2晶圆厂生产，集成CMOS直接键合到阵列（CBA）与节距选通（OPS）技术，支持Toggle DDR6.0接口及SCA协议，I/O接口速度达4800MT/s，存储密度提升至29+Gb/mm²，较前代提升59%。在能效方面，读取能效提升30%，写入能效提升18%，输出功耗降低34%，输入功耗降低10%。该产品主要面向企业级固态硬盘与数据中心应用，旨在满足AI存储领域对高性能、大容量及低功耗的需求，为下一代支持PCIe Gen6接口的固态硬盘提供技术支撑。
