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美光科技投资93亿美元扩建先进存储芯片项目，预计2028下半年出货HBM
6 小时前
当地时间7月4日周六，美光科技正式启动位于日本西部广岛的工厂扩建工程。该项目总投资1.5万亿日元（约合93亿美元），旨在生产高带宽存储器（HBM）等先进存储芯片，以满足AI发展带来的强劲需求。HBM是英伟达AI处理器的重要组件，该工厂预计2028年夏季开始出货。近期，美光、三星电子和SK海力士均宣布了扩充制造能力的计划。本周早些时候，SK海力士宣布，将投资80万亿韩元（约合514.6亿美元），在韩国清州市新建一座NAND存储芯片工厂。
