搜索
14微米叠十层几乎0偏移 浦项科大把芯片堆叠密度提升到现有HBM的四倍
5 小时前
2026年7月8日，浦项科技大学机械工程系金锡教授团队联合韩国工业技术研究院宣布，成功研发超薄半导体芯片稳定堆叠技术。该技术通过整合转移印刷与实时键合工艺，在低于180℃、20千帕的温和条件下，实现14微米厚硅基芯片十层以上稳定堆叠，集成密度达现有高带宽内存（HBM）的4倍。该技术解决了超薄芯片易弯曲断裂的行业难题，层间对准误差极小且芯片翘曲得到有效抑制，可显著提升AI半导体性能，并适用于先进小芯片集成及微发光二极管显示器件等领域。相关成果已发表于国际工程类学术期刊《Results in Engineering》网络版。
