搜索
北京大学集成电路学院/微米纳米加工技术全国重点实验室/集成电路高精尖创新中心王玮教授团队在深硅刻蚀三维形貌非破坏性快速测量领域取得重要进展
7 小时前
在半导体三维封装和MEMS器件加工中，深反应离子刻蚀形成的深槽特性（如深度、侧壁倾角和波纹度）直接影响器件性能。然而，图案依赖效应会导致不同开口尺寸下的刻蚀形貌差异显著。目前，破坏性切片观察耗时长且无法用于在线生产，而无损光学检测受分辨率限制，难以还原深槽内部细节。因此，行业迫切需要实现高吞吐、高精度且完全无损的在线测量技术。
