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长鑫存储在DDR5内存芯片领域取得重要进展 良率已达到 90%
5 小时前
中国存储芯片企业长鑫存储在DDR5内存芯片领域取得重大进展，其采用17纳米级工艺制造的DDR5内存芯片良品率已达90%。这一突破显著提升了其规模化量产和出货能力，有助于进一步缩小与三星、SK海力士、美光等国际巨头的差距。长鑫存储已实现DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等全系列量产，并在合肥、北京建有三座12英寸晶圆厂，月产能达30万片，2026年计划冲刺40万片。其17nm工艺DDR5良率突破90%，标志着中国大陆在DRAM领域实现了从0到1的突破，有望逐步提升市场份额。
