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面向2.5D/3D先进封装 长电科技高深宽比TSV研发取得突破
5 小时前
8月19日消息，长电科技今日宣布，在高深宽比TSV（硅通孔）技术研发上取得重要进展，并已与合作伙伴共同完成样品试制。长电科技的TSV制备方案主要面向2.5D/3D先进封装、硅基互连及多维异质异构集成等高端应用，旨在提升公司在微系统集成平台中的关键底层工艺能力，为高算力、高存力芯片的系统级集成提供更全面、灵活的一站式制造支持。
