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北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁
11 小时前
面对西方对华半导体设备出口管制的持续升级，中国半导体行业在无法获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的背景下，正积极将研发重心转向垂直堆叠技术，以突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造的领军企业，北方华创近日在IEEE期刊上发表论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大突破。该公司开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，该工艺有望为长鑫存储等本土存储芯片厂商提供规避制裁的新路径，推动中国半导体产业的自主发展。
