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SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺
7 小时前
随着人工智能、高性能计算及下一代移动设备对先进内存需求激增，韩国存储芯片巨头SK海力士正加速向第六代10纳米级1c DRAM工艺转型。公司正大规模调整产能结构，计划将更多DRAM产品迁移至1c工艺节点生产。据产业消息，SK海力士1c DRAM市场份额逐季攀升，从2026年第一季度的约10%增至第二季度的13%，预计第三、四季度将分别升至24%、34%，2027年第一季度有望达35%，首次超越1b工艺（约33%），确立主导地位。
