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中国科学院半导体所在人工智能驱动GaN HEMT器件结构逆向设计研究方面取得新进展
6 小时前
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具备高击穿电压、高功率密度及高频工作特性，在无线通信、射频功率器件和航空航天领域应用广泛。传统GaN HEMT设计依赖TCAD仿真与参数扫描，为满足特定截止频率和最大振荡频率要求，需在多维参数空间中反复仿真，导致设计周期长、计算成本高昂。因此，开发面向目标性能的快速智能逆向设计方法显得尤为重要。
