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长鑫存储押注新型DRAM架构 有望比三星提前两年实现商用突破
8 小时前
中国存储芯片制造商长鑫存储正加速推进下一代DRAM技术布局，计划于2026年底前推出采用4F²存储单元架构的DDR5 RDIMM服务器内存产品。4F²架构通过压缩单元尺寸提升存储密度，被视为DRAM微缩的关键技术节点。若计划顺利实施，长鑫存储在这一领域的商业化进度或将领先三星电子约两年，引发全球存储产业关注。
