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长江存储据称正研发9600 MT/s LPDDR5X内存 计划推进量产
2 小时前
中国闪存芯片巨头长江存储正将技术布局从NAND闪存扩展至DRAM内存领域。据Counterpoint Research披露，长江存储正在开发速率高达9600 MT/s的LPDDR5X内存，并计划在武汉第三座晶圆厂（Fab 3）推进量产。这一举措标志着长江存储首次进军高速移动内存市场，直接挑战三星、SK海力士、美光等国际DRAM巨头的主导地位。长江存储的DRAM技术路线并非临时起意，自2025年10月起，该公司已在Fab 2工厂开展第二代16Gb LPDDR5的研发与测试，速率达7500 MT/s，月产量约5000片晶圆。此次曝光的9600 MT/s版本，速率大幅提升，并首次引入垂直通道晶体管（VCT）与4F²单元架构。与传统的6F²架构相比，4F²架构能将单个存储单元的面积缩减至四倍特征尺寸的平方，理论上可在相同芯片面积内容纳更多单元，从而提升密度、降低成本。长江存储在晶圆对晶圆键合技术上的深厚积累，使其在向3D DRAM转型中占据有利位置。其独家的Xtacking技术将存储阵列与外围逻辑电路分开制造再键合，降低了对尖端光刻设备的依赖。若9600 MT/s LPDDR5X能如期量产，不仅将补齐国产移动内存的高端空白，更可能在AI终端与旗舰手机市场，为国产供应链开辟新的增长空间。
