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消息称三星电子完成 4XX 层 NAND 闪存技术开发，开始向量产线转移
2024-12-09
三星电子成功研发出第10代3D V-NAND闪存，层数达到4XX层，已在平泽1号工厂量产线上生产。该技术将于2025年IEEE ISSCC国际固态电路会议上展出，采用晶圆键合技术，存储密度高达28 Gb/mm²，I/O引脚速率达5.6 Gb/s。目前良率为10%~20%，预计2025年下半年获得量产许可，二季度末或进入量产阶段，需达到60%的量产门槛。此外，三星电子正扩大先进产能，巩固在NAND闪存市场的领导地位。
