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Rapidus与IBM合作研发多阈值电压GAA晶体管技术
2024-12-12
在2024年IEEE IEDM国际电子器件会议上，IBM携手日本Rapidus公司展示了双方合作研发的多阈值电压GAA晶体管技术。该技术计划应用于Rapidus的2nm制程生产中。IBM指出，随着制程推进至2nm，晶体管结构已从FinFET转变为GAAFET，这为实现多阈值电压带来了新挑战。通过引入两种独特的选择性减少层（SLR）芯片构建工艺，双方成功克服了这一难题，并增强了Nanosheet纳米片结构的应用潜力。IBM研究院高级技术人员Bao Ruqiang表示，Nanosheet结构虽比FinFET更复杂，但新生产工艺更为简便，这将助力Rapidus可靠且大规模地采用2纳米片技术生产芯片。
