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天狼芯“改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片”专利公布

2024-12-16

深圳天狼芯半导体有限公司的“改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片”专利已公布，申请公布号为CN118866943A，日期为2024年10月29日。该专利通过优化器件结构，提升了击穿电压和雪崩耐量，属于功率器件技术领域。

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