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中国科学院上海微系统所在IEDM2024上发布晶圆级金刚石基氧化镓阵列化单晶薄膜及高性能射频器件制备研究进展
2024-12-17
上海微系统所异质集成XOI团队与南京电子研究所超宽禁带半导体研究团队携手，在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件研发上取得重大突破。12月9日，第70届国际电子器件大会（IEDM 2024）上，他们以口头报告形式发布了研究成果：“利用转移印刷技术首次实现金刚石上晶圆级阵列β-Ga2O3薄膜及MOSFET”。该成果展示了在金刚石基底上成功制备出晶圆级阵列的β-Ga2O3薄膜及金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），标志着在高性能电子器件领域迈出了重要一步。
