俄罗斯宣布自研EUV光刻机 号称比ASML更便宜、更容易制造
2024-12-19

俄罗斯公布了自主开发EUV光刻机的路线图,旨在打造比ASML设备更便宜、更易制造的光刻机。该光刻机采用11.2nm激光光源,与ASML标准的13.5nm不同,因此需开发独立的光刻生态系统,预计耗时十年或更久。此创新将提升分辨率20%,简化设计并降低成本,但可能与现有EUV设备不兼容。