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北大集成电路学院研究团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
2024-12-23
GaN基功率器件因其高临界击穿电场、高电子迁移率及高极限工作温度等特性，在新一代移动通讯、服务器集群、新能源技术及电动汽车等领域展现出巨大应用潜力，成为半导体科技研究的前沿和全球高科技竞争的关键。北京大学集成电路学院与集成电路高精尖创新中心的魏进研究员和物理学院的沈波教授带领的团队，过去五年针对GaN基功率器件的频率、可靠性和耐压三大技术挑战进行了系统研究。他们成功攻克了动态阈值稳定性难题，实现了高压桥式与低压CMOS的集成，并研发出万伏级GaN基高压器件。
