搜索
长鑫国产HBM2内存重大突破 DDR5良率明年底可达90％
2024-12-29
长鑫存储技术有限公司自推出DDR5内存以来，不断取得新进展，同时在第二代HBM2高带宽内存技术上实现重大突破。据花旗银行分析，长鑫在DDR4初期良品率较低，仅为20-30%，但成熟后提升至90%。凭借DDR4的丰富经验，长鑫DDR5自推出之初良品率便达40%，现已稳定在80%左右，预计明年年底将提升至90%。
