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英特尔加速推进俄亥俄州晶圆厂建设 EMIB-T先进封装良率接近90%
5 小时前
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来源：集微网
英特尔加速推进俄亥俄州晶圆厂建设，目标2031年实现14A工艺量产。同时，其先进封装技术EMIB-T取得进展，预计2027年规模化供应，成本约为台积电CoWoS方案50%，旨在提升晶圆代工业务竞争力。
英特尔（Intel）正在加速推进美国俄亥俄州晶圆厂项目建设，并通过加班奖金等方式鼓励员工加快工程进度，目标是在2031年前实现14A工艺大规模量产。
据报道，英特尔正在俄亥俄州建设一座占地约1000英亩的晶圆厂园区，面向"埃米时代"（Angstrom era）先进制程，包括18A和14A工艺。该项目被视为英特尔未来先进制造布局的重要组成部分。
与此同时，英特尔先进封装技术EMIB-T也取得进展。据了解，EMIB-T是英特尔基于EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术进一步发展的先进封装方案，通过在嵌入式硅桥中加入穿硅通孔（TSV），实现芯片与存储之间的垂直互连，可支持3D堆叠。
英特尔预计，EMIB-T封装方案将在2027年实现规模化供应。目前，该技术封装良率已接近90%，但基板良率仍约为50%，成为限制产能提升的主要因素。
与传统EMIB技术相比，EMIB-T通过TSV实现更高密度的数据和电力传输，被认为可用于下一代高性能计算和AI芯片封装。报道指出，EMIB-T成本约为台积电CoWoS方案的50%。
英特尔正在推动EMIB-T成为AI时代先进封装的重要方案，并计划通过提升基板制造良率，加快该技术的量产进程。目前，相关基板供应涉及Ibiden、Shinko、欣兴（Unimicron）以及AT&S等厂商。
此外，随着AI计算需求增长，先进封装已成为提升芯片性能的重要环节。英特尔希望通过14A先进制程与EMIB-T封装技术，进一步增强其晶圆代工业务竞争力。
