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华虹宏力“闪存器件的制备方法”专利公布

2025-01-14

上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的“闪存器件的制备方法”专利于2024年8月21日公布，申请公布号为CN119136552A。该方法通过优化制备步骤，减少制造成本，提升闪存器件性能。

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