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智芯微“抗电磁环境干扰高可靠LDMOS静电泄放器件、制备方法及芯片”专利获授权
2025-01-14
北京智芯微电子科技有限公司近日获得了一项名为“抗电磁环境干扰高可靠LDMOS静电泄放器件、制备方法及芯片”的专利，授权公告号为CN118073425B，该专利的申请日期为2024年4月24日，并于2024年12月13日正式公告。该专利属于半导体技术领域，通过新型材料和结构设计，提高了LDMOS器件的抗电磁干扰能力和静电泄放能力。
