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SK Hynix 推出 321 层 UFS 4.1 比上一代更快、更薄、更高效
2025-05-22
SK海力士推出全球首款适用于智能手机的321层UFS 4.1 TLC NAND闪存。该闪存具备更快的速度、更高的效率及更小的体积，专为轻薄机身与AI工具优化的下一代手机设计。其能效较上一代提升7%，厚度减至0.85mm，适配超薄智能手机。同时，支持UFS 4.1标准的顺序读取峰值，数据传输速率达4300MB/s，随机读取和写入速度分别提升15%和40%。提供512GB和1TB两种容量规格，计划于今年内交付样品验证，明年第一季度量产。
