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三星电子计划投资1.1万亿韩元引进最新的High-NA EUV光刻机
3 周前
2025年10月15日，据《韩国经济日报》报道，三星电子计划投入约1.1万亿韩元（约合54.92亿元人民币），引进两台最新的High-NA双级极紫外（EUV）光刻机，以推动下一代半导体芯片量产。此前，三星仅在京畿道园区引进过一台用于研发的High-NA EUV设备，此次引进的机器将首次用于产品量产。三星计划在年内引进一台，明年上半年再引进一台。此次引进的光刻机型号为Twin Scan EXE:5200B，是第二款采用0.55数值孔径（NA）的High-NA极紫外光刻系统，也是TWINSCAN EXE:5000的升级版。该设备大幅提升了对准精度和生产效率，被视为生产下一代半导体芯片和高性能DRAM的必备设备。
