SK海力士率先研发第六代10纳米级DRAM
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3月10日消息,韩国芯片企业SK海力士宣布,已全球率先研发出第六代10纳米级同步动态随机存取存储器(DRAM)。该公司采用第六代10纳米级DRAM技术(1c工艺),成功研制出16Gb的第六代低功耗双倍数据速率(LPDDR6)DRAM,并计划于上半年完成量产准备,下半年开始供货。SK海力士在今年1月的2026年国际消费电子展(CES 2026)上展示了该产品,并已获得研发认证。基于1c工艺的LPDDR6产品将主要应用于搭载端侧人工智能(On-device AI)技术的智能手机、平板电脑等设备。与前代LPDDR5X相比,LPDDR6的数据速率提升了33%,能耗降低了20%以上。