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中国科学院上海微系统所在ISPSD 2026发布650V全硅基氮化镓共源级器件新方案：攻克 GaN 器件自激振荡难题
11 小时前
第38届国际功率半导体器件与集成电路年会（IEEE ISPSD）于5月24日至28日举行。作为全球电力电子领域最具影响力的国际学术会议，它被誉为该领域的“奥林匹克”盛会。本届大会重点探讨了新一代电力电子器件的结构、封装及可靠性等技术，并仅精选了165篇学术论文进行发表。
