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SK hynix计划在今年量产375层3D NAND闪存 改用钼材料以突破工艺瓶颈
4 小时前
据业内消息，SK海力士已完成375层3D NAND闪存量产验证，计划于2026年底前在清州M15工厂现有产线启动量产。该工厂目前生产176层、238层、321层等中低层数NAND产品，改造后将全面切换为375层产品生产线。为攻克超高层堆叠难题，SK海力士在375层产品中以钼(Mo)部分替代钨(W)作为字线金属栅极材料，提升信号传输速度及读写擦除性能，实现更高密度结构。
