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台积电2纳米工艺需求强劲 流片数量激增四倍
1 天前
台积电高级副总裁Kevin Zhang最新披露，其2纳米（N2）工艺节点市场热度远超预期，流片数量已达上一代3纳米（N3）节点同期的四倍，表明众多长期战略合作伙伴已将研发重心转向2纳米制程。此番流片量激增，得益于台积电首次引入的环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技术，该技术使N2工艺在功耗不变时性能提升15%，或在维持相同性能时功耗降低30%。随着向2纳米转型的客户数量激增，台积电季度营收有望进一步增长。流片数量的成倍增长将成为拉动整体收益的关键引擎。
