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长鑫技术新突破：4F² 架构产品预计年底亮相
1 小时前
长鑫存储在4F² DRAM架构研发上取得关键进展，总裁曹堪宇在行业大会上介绍了公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合等领域的技术积累，并宣布预计年底推出融合这些技术的新一代DDR5 RDIMM产品。4F²架构可提升单位面积存储密度，是DRAM技术的重要方向。长鑫自研的VSG垂直包围栅晶体管解决了传统制程的难题，混合键合技术则提高了连接密度，为芯片集成提供条件。
