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三星、SK 海力士升级中国工厂 应对长江存储竞争及 AI 需求
2 小时前
三星电子与SK海力士正对其位于中国的西安和大连工厂进行升级，旨在生产更高层数的NAND闪存芯片，以应对长江存储的崛起并满足人工智能领域不断增长的存储需求。两家公司表示，相关工作正与美国方面保持密切沟通，但未透露具体生产计划。三星电子的西安工厂目前生产约200层芯片，占其全球NAND产量的约40%。升级后，该工厂将生产286层V9 NAND闪存芯片，内部称该项目为“Monami”，目标是在2026年12月实现月产5000片晶圆，2027年12月提升至月产4万片。三星强调，此次升级不涉及扩大产能或新建制造设施，旨在满足全球客户需求。SK海力士的大连工厂目前生产约192层产品，计划升级后生产240层及以上NAND产品。目前，该公司已获准在大连生产最高240层的芯片，并可能向美国政府申请在当地开展300层以上芯片的研发，为未来赴美生产相关产品做准备。同时，SK海力士正与特朗普政府讨论在美国新建NAND工厂的计划。受2022年起美国实施的芯片制造设备出口管制政策影响，两家企业在中国工厂安装美国制造设备需每年申请许可证。美国商务部此前表示，计划允许两家公司继续运营现有中国工厂，但不打算批准扩产或技术升级申请。此次升级所需设备出口许可的获批程度尚未确认。当前，长江存储在中国NAND市场份额持续上升，2026年第二季度占比达38.5%，已超过三星。长江存储目前主要生产160层和232层产品，少量生产294层芯片，并计划推出300层以上产品。三星和SK海力士在中国以外市场已分别推出最高286层和321层的NAND芯片。
