搜索
SK keyfoundry推出新型多层厚金属间电介质工艺
4 天前
2025年9月23日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质（Thick IMD）电容工艺。该工艺支持堆叠最多三层IMD，每层最大厚度达6微米，总厚度最高可达18微米，可提供高达19,000V的击穿电压特性及优异电容性能。预计该工艺将用于制造数字隔离用电容器及电子电路中抑制电容耦合的电容器，已通过主要客户的经时介电层击穿（TDDB）评估，并符合AEC-Q100国际汽车半导体质量标准。该工艺可集成到0.13微米及0.18微米BCD工艺技术中，在汽车半导体领域具有极高应用价值。此外，SK keyfoundry还提供PDK、DRC、LPE、LVS及Pcell等设计支持工具，助力客户加速产品开发。
